俄罗斯正加速推进EUV光刻机研发,计划通过三阶段路线图在2036年前实现亚10纳米制程,采用11.2纳米波长技术路径,但面临资金、人才及产业链重建等挑战。
俄罗斯科学院微结构物理研究所主导的EUV光刻机研发采用非主流11.2纳米波长技术(ASML为13.5纳米),旨在提升分辨率并降低复杂度,具体分三阶段推进:
2026-2028年:开发40纳米制程设备,配备双镜物镜系统,套刻精度10纳米,曝光场3×3毫米,每小时产能超5片晶圆。
2029-2032年:升级至28纳米制程(潜力14纳米),采用四镜光学系统,套刻精度5纳米,曝光场26×0.5毫米,产能提升至50片/小时。
2033-2036年:实现亚10纳米制程,使用六镜配置,套刻精度2纳米,曝光场26×2毫米,产能达100片/小时。来源 百度 |