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[快讯] 俄罗斯研发euv光刻机

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发表于 2025-12-19 09:04:39 来自手机 | 显示全部楼层 |阅读模式
俄罗斯正加速推进EUV光刻机研发,计划通过三阶段路线图在2036年前实现亚10纳米制程,采用11.2纳米波长技术路径,但面临资金、人才及产业链重建等挑战。

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俄罗斯科学院微结构物理研究所主导的EUV光刻机研发采用‌非主流11.2纳米波长技术‌(ASML为13.5纳米),旨在提升分辨率并降低复杂度,具体分三阶段推进:‌‌

‌2026-2028年‌:开发40纳米制程设备,配备双镜物镜系统,套刻精度10纳米,曝光场3×3毫米,每小时产能超5片晶圆。

‌2029-2032年‌:升级至28纳米制程(潜力14纳米),采用四镜光学系统,套刻精度5纳米,曝光场26×0.5毫米,产能提升至50片/小时。

‌2033-2036年‌:实现亚10纳米制程,使用六镜配置,套刻精度2纳米,曝光场26×2毫米,产能达100片/小时。‌‌来源 百度
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